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Vorteile einer Registrierung:
Leistungsstarke NVMe SSD (M.2)
Kapazität: 250 GB
Moderne V-NAND Speichertechnologie
Liest sequenziell bis zu 3.500 MB/s
Dynamic Thermal Guard-Technologie
Puffergröße: 512 MB
SSD mit 3D V-NAND Flash-Speicher für noch mehr Zuverlässigkeit
sehr große Leistungssteigerung gegenüber herkömmlichen Festplatten
schnelle Reaktionszeit des Gesamtsystems
kürzere Boot-Zeiten
ohne bewegliche Teile läuft die SSD zudem energiesparender, kühler, leiser und arbeitet zuverlässiger
Samsung 970 EVO Plus MZ-V7S250BW - SSD
Kurzanleitung
Flexibilität durch gutes Produktdesign
Die 970 EVO Plus zeigt die Weiterentwicklung im Bereich der NVMe-SSDs. Neben einer hohen Performance bietet sie eine hohe Speicherkapazität im kompakten M.2-Formfaktor (2280). Sie bietet damit viel Speicherplatz bei geringen Abmessungen und spart damit wertvollen Platz für andere Komponenten. Innovative Samsung-Technologien ermöglichen es Ihnen damit, den Freiraum zu haben, den sie benötigen um viel zu erreichen und noch mehr zu bewerkstelligen.
Unbedingte Zuverlässigkeit
Der bewährte Samsung Phoenix-Controller ist mit einer Schicht aus Nickel überzogen und das Laufwerksmodul der 970 EVO Plus mit einem dünnen Heat Spreader versehen, so dass die entstehende Wärme im Betrieb effektiv abgeführt wird. Darüber hinaus wacht die Dynamic Thermal Guard-Funktion ständig über das Laufwerk, so dass optimale Betriebstemperaturen eingehalten werden und die Performance konstant gehalten werden kann.
Allgemein
Gerätetyp: Solid State Drive - intern
Kapazität: 250 GB
Hardwareverschlüsselung: Ja
Verschlüsselungsalgorithmus: 256-Bit-AES
NAND-Flash-Speichertyp: TLC (Triple-Level Cell)
Formfaktor: M.2 2280
Schnittstelle: PCIe 3.0 x4 (NVMe)
Puffergröße: 512 MB
Merkmale: TRIM-Unterstützung, Auto Garbage Collection Algorithm, Dynamic Thermal Guard protection, TurboWrite Technology, V-NAND Technology, NVM Express (NVMe) 1.3, Samsung Phoenix Controller, S.M.A.R.T.
Breite: 22.15 mm
Tiefe: 80.15 mm
Höhe: 2.38 mm
Gewicht: 8 g
Leistung
SSD-Leistung: 150 TB
Interner Datendurchsatz: 3500 MBps (lesen)/ 2300 MBps (Schreiben)
4 KB Random Read: 17000 IOPS
4 KB Random Write: 60000 IOPS
Maximal 4 KB Random Write: 550000 IOPS
Maximal 4 KB Random Read: 250000 IOPS
Zuverlässigkeit
MTBF: 1,500,000 Stunden
Erweiterung und Konnektivität
Schnittstellen: PCI Express 3.0 x4 (NVMe) - M.2 Card
Kompatibles Schaltfeld: M.2 2280
Stromversorgung
Energieverbrauch: 5 Watt (Durchschnitt) ¦ 8 Watt (Maximum) ¦ 30 mW (Inaktivität Maximum)
Verschiedenes
Kennzeichnung: IEEE 1667
Umgebungsbedingungen
Min Betriebstemperatur: 0 °C
Max. Betriebstemperatur: 70 °C
Schocktoleranz (in Betrieb): 1500 g @ 0,5 ms Sinushalbwellen